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碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的新兴阛阓计算在 2021 年冲破 10 亿美元

  【中原白银网11月9日询】凭证 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体叙说》,正在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需要的拉动下,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的新兴市集估量正在 2021 年打垮 10 亿美元•。证据 Omdia 的《2020 年SiC和GaN功率半导体叙述》,正在稠浊动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的新兴阛阓准备正在 2021 年冲突 10 亿美元。申诉显示,环球 SiC 和 GaN 功率半导体的收入,预计从 2018 年的 5••.71 亿美元增至 2020 年合的 8.54 亿美元。揣测另日十年,每年的阛阓收入以两位数推论,到 2029 年将突出 50 亿美元。GaN 和 SiC 功率半导体环球墟市收入估计(单元•:百万美元)

  SiC 肖特基二极管还是上市十多年了,比年来发生了 SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)和结型场效应晶体管(SiC JFETs)•。SiC 功率模块也越来越多•,包括夹杂 SiC 模块(这种模块网罗带 Si 绝缘栅双极晶体管(IGBTs)的 SiC 二极管),以及包罗 SiC MOSFETs 的完全 SiC 模块(非论这种模块是否带有 SiC 二极管)。SiC MOSFETs 正在修树商中很受迎接,如故有几家公司提供了这种产物。有几个因素导致 2019 年的均衡价格降下,例如 650 伏、700 伏和 900 伏 SiC MOSFETs 上市,其订价与硅超结 MOSFETs 比赛,又例如供应商之间的竞赛加剧。SiC 和 GaN 功率半导体市集趋向到 2020 岁终,SiC MOSFETs 臆度将发生约 3.2 亿美元的收入,与肖特基二极管的收入相称。从 2021 年起,SiC MOSFETs 将以略速的疾度填补•,成为最热销的分立 SiC 功率器件。同时,纵然 SiC JFETs 的实正在性、价值和本能都很好,但据估计,SiC JFETs 的收入要比 SiC MOSFETs 少得多。配合 Si IGBT 和 SIC 二极管的夹杂型 SiC 功率模块正在 2019 年的卖出额测度约为 7200 万美元,全 SiC 功率模块正在 2019 年的出售额估计约为 5000 万美元。Omdia 揣测到 2029 年,全 SiC 功率模块将已毕高出 8.5 亿美元的收入,泉源它们将被优先用于羼杂动力和电动汽车动力体系逆变器。相比之下,夹杂型 SiC 功率模块将合键用于光伏(PV)逆变器、不窒息电源方式和其我财产诈欺,带来的推广速率要慢得多。2019 年以还产生了什么变化?方今,SiC 和 GaN 功率器件都罕见万亿幼时的器件现场融会。供给商,乃至是晚进入墟市的企业,都正在体验获取 JEDEC 和 AEC-Q101 认证来解叙这一点。SiC 和 GaN 器件犹如不活命任何无意切实凿性问题;真相上•,它们平日比硅器件更好。SiC MOSFET 和 SiC JFET 的仔肩电压较低,如 650V、800V 和 900V•,使 SiC 正在机能和价值上都能与 Si 超结 MOSFET 比赛••。敷陈提及,内含 GaN 晶体管和 GaN 方式集成电途的了结产物已参与批量坐褥,极度是用于手机和条记本电脑速速充电的 USB C 型电源适配器和充电器•。此表,良多 GaN 器件正由晶圆代工任职供给商修修,正在典型硅片上供给内里 GaN 表延晶体滋长,跟着产量的扩张,产能或者无尽放大。

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