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LPCVD氮化硅制备工艺通常在通常真空水平下的回声腔体内通入响应气体二氯二氢硅(SiH2Cl2)和氨气(NH3)来天赋氮化硅

  正在亚微米的生产筑造才智中,氮化硅工艺的particle已经成为产物良率的苛重蓄志要素。本文苛重针刁难式LPCVD氮化硅炉管的氮化硅设立工艺中所碰着particle题目实行寻找。通过洪量的相比性考试举办排查与解析•,并诈欺各样提升的练习的斥地和工具找到滋长particle的情由,找到统造particle题目的摆设。停止解叙不仅延迟了机台的修立周期,并且改善了机台的particle景遇,最终取得良率的抬高,优化了设备工艺。

  LPCVD氮化硅造备工艺凡是正在凡是真空程度下的回响腔体内通入呼应气体二氯二氢硅(SiH2Cl2)和氨气(NH3)来资质氮化硅,反应温度普通为300-900度(图1)。

  晶圆的particle撒布图见图2,显示particle合键散布正在晶圆的周围私人•。正在SEM下理解这些particle(图3),也许很暴露的看到这些particle是极少薄膜的剥落•,而欺诳EDX来知说的完毕则造作这些particle的合键因素是氮元素和硅元素•。

  笔据对particle的发端看法,认为这些particle的初阶是正在生产中剥落下来的氮化硅薄膜。那么是什么理由使浸积正在呼应腔上的薄膜剥落下来呢?

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